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RealLight’s diode laser stacks utilize the high reliable AuSn solder technology and low thermal resistance package,providing large duty cycle and high peak power output under different modes of operation.Multi-wavelength output, wide temperature operation and FAC collimation are available upon request. 792nm~818nm and 940nm~960nm output wavelengths are customizable for all product lines.These diode laser stacks are preferred for applications include pumping, material processing, laser illumination, aesthetic treatment scientific research, etc.
| Center Wavelength λc（nm） | 940 | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±5 | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 100 | 200 |
| Number of Bars | 1-2 | 1-5 | 1-3 |
| Bar Length（mm） | 10 | 10 | |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.8 | 0.43 | 0.55 |
| Center Wavelength λc（nm） | 940 | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±5 | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 100 | 200 |
| Number of Bars | 1-2 | 3-6 | 2-4 |
| Bar Length（mm） | 10 | 10 | |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.8 | 0.43 | 0.55 |
| Center Wavelength λc（nm） | 940 | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±5 | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 100 | 200 |
| Number of Bars | 1-2 | 5-12 | 5-10 |
| Bar Length（mm） | 10 | 10 | |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.8 | 0.43 | 0.55 |
| Part Number | Rxxx±3-Qxxxx-GS07-5*15 |
| Center Wavelength λc（nm） | 796~808 |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 |
| Output Power per Bar（W） | 180 |
| Number of Bars | 1~15 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | ~0.4 |
| Part Number | Rxxx±5-Q1800-GS06-5*9 |
| Center Wavelength λc（nm） | 796~808 |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±5 |
| Output Power per Bar（W） | 200 |
| Number of Bars | 9 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | ~0.6 |
| Part Number | R808±10-Q480-GS11-10*4 |
| Center Wavelength λc（nm） | 808 |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±10 |
| Output Power per Bar（W） | 120 |
| Number of Bars | 4 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 1.65 |
| Center Wavelength λc（nm） | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 200 |
| Number of Bars per Stack | 8 | 6 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.43 | 0.55 |
| Emission Area（mm×mm） | 3×21 | 2.75×21 |
| Stack-to-Stack Pitch（mm） | 1 | |
| Number of Stacks | 2 | |
| Center Wavelength λc（nm） | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 200 |
| Number of Bars per Stack | 8 | 6 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.43 | 0.55 |
| Emission Area（mm×mm） | 3×32 | 2.75×32 |
| Stack-to-Stack Pitch（mm） | 1 | |
| Number of Stacks | 3 | |
| Center Wavelength λc（nm） | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 200 |
| Number of Bars per Stack | 9 | 7 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.43 | 0.55 |
| Emission Area（mm×mm） | 3.5×43 | 3.3×43 |
| Stack-to-Stack Pitch（mm） | 1 | |
| Number of Stacks | 4 | |
| Center Wavelength λc（nm） | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 200 |
| Number of Bars per Stack | 1-4 | 1-3 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.43 | 0.55 |
| Center Wavelength λc（nm） | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 200 |
| Number of Horizontal Arrays | 2 | |
| Array-to-Array Pitch | 3 | |
| Number of Bars per Stack | 1-4 | 1-3 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.43 | 0.55 |
| Center Wavelength λc（nm） | 790-812 | |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±3 | |
| Output Power per Bar（W） | 100 | 200 |
| Number of Horizontal Arrays | 3 | |
| Array-to-Array Pitch | 3 | |
| Number of Bars per Stack | 1-4 | 1-3 |
| Bar-to-Bar Pitch（mm） | 0.43 | 0.55 |
